E-mail: info@cre-elec.com
English
  • чбб

Самы танны плёнкавы кандэнсатар, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - Канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для прымянення сілавой электронікі IGBT - CRE

Плёнкавы кандэнсатар па самай таннай цане, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - Канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для прымянення сілавой электронікі IGBT - Выява CRE
  • Самы танны плёнкавы кандэнсатар, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - Канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для прымянення сілавой электронікі IGBT - CRE
  • Самы танны плёнкавы кандэнсатар, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - Канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для прымянення сілавой электронікі IGBT - CRE
  • Самы танны плёнкавы кандэнсатар, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - Канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для прымянення сілавой электронікі IGBT - CRE

Кароткае апісанне:


Спампаваць як PDF

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Звязанае відэа

Водгук (2)

Пры падтрымцы перадавой і спецыялізаванай ІТ-каманды мы можам аказаць тэхнічную падтрымку па перадпродажным і пасляпродажным абслугоўванні дляІндывідуальны плёнкавы кандэнсатар , Дэмпферны кандэнсатар для Igbt , Сонечны кандэнсатар, Каманда нашай кампаніі з выкарыстаннем перадавых тэхналогій пастаўляе прадукцыю бездакорнай якасці, якую вельмі любяць і цэняць нашы кліенты па ўсім свеце.
Плёнкавы кандэнсатар па самай таннай цане, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - Канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для прымянення сілавой электронікі з IGBT - Дэталь CRE:

Тэхнічныя дадзеныя

Дыяпазон працоўных тэмператур Макс. Працоўная тэмпература., Верхняя, макс.: +105 ℃

Тэмпература вышэйшай катэгорыі: +85 ℃

Тэмпература ніжэйшай катэгорыі: -40 ℃
дыяпазон ёмістасці 0,1 мкФ ~ 5,6 мкФ
Намінальнае напружанне 700 В пастаяннага току ~ 3000 В пастаяннага току
Кап.тол ±5%(J);±10%(K)
Вытрымліваюць напружанне 1,5 Un пастаяннага току/10 с
Каэфіцыент рассейвання tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Супраціў ізаляцыі

C≤0,33 мкФ RS≥15000 МОм (пры 20 ℃ 100 В пастаяннага току 60 с)

C＞0,33 мкФ RS*C≥5000S (пры 20℃ 100V.DC 60S)
Вытрымліваюць ударны ток

гл
Вогнеўстойлівасць

UL94V-0
Працягласць жыцця

100000 гадзін (Un; Θгарачая кропка≤85°C)
Эталонны стандарт

IEC61071;GB/T17702;

Табліца характарыстык

Напруга Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Памер (мм)
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) ESR пры 100 кГц (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Спакойнае пры 40 ℃ пры 100 кГц (A)
0,47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0,68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 год 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 год 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 год 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 год 33
Напруга Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Памер (мм)
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) СОЭ (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0,68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 год 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 год 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 год 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 год 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 год 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Напруга Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) СОЭ (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Irms
0,47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0,68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 год 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 год 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 год 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 год 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 год 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 год 32
Напруга Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) СОЭ (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Irms
0,33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0,47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0,68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 год 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 год 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 год 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 год 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 год 32
Напруга Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) СОЭ (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Irms
0,22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0,33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0,47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0,68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 год 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 год 32
Напруга Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn (мкФ) L(±1) T(±1) H(±1) СОЭ (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Irms
0,15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57.5 35 50 15 25 2000 год 330 20
0,33 57.5 35 50 12 24 1800 год 495 20
0,47 57.5 38 54 11 23 1600 год 752 22
0,68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28
Падрабязныя фатаграфіі прадукту:

Самы танны плёнкавы кандэнсатар, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - Канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для прымянення сілавой электронікі IGBT - дэталёвыя выявы CRE

Самы танны плёнкавы кандэнсатар, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - Канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для прымянення сілавой электронікі IGBT - дэталёвыя выявы CRE

Самы танны плёнкавы кандэнсатар, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - Канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для прымянення сілавой электронікі IGBT - дэталёвыя выявы CRE

Кіраўніцтва па адпаведных прадуктах:
Заўсёды арыентаваны на кліента, і гэта наша канчатковая мэта - быць не толькі самым надзейным, вартым даверу і сумленным пастаўшчыком, але і партнёрам для нашых кліентаў па самай таннай цане плёнкавага кандэнсатара, які выкарыстоўваецца для медыцынскай візуалізацыі - канструкцыя дэмпферных плёнкавых кандэнсатараў з высокім пікавым токам для харчавання IGBT прымяненне электронікі – CRE , Прадукт будзе пастаўляцца па ўсім свеце, такім як: Ратэрдам, Іран, Гамбург. Мы пачнем другі этап нашай стратэгіі развіцця.Наша кампанія лічыць сваім прынцыпам "разумныя цэны, эфектыўны час вытворчасці і добрае пасляпродажнае абслугоўванне".Калі вы зацікаўлены ў любым з нашых прадуктаў і рашэнняў або хочаце абмеркаваць індывідуальны заказ, не саромейцеся звязацца з намі.Мы з нецярпеннем чакаем наладжвання паспяховых дзелавых адносін з новымі кліентамі па ўсім свеце ў бліжэйшай будучыні.
    • Спадзяюся, што кампанія зможа прытрымлівацца прадпрымальніцкага духу "Якасці, эфектыўнасці, інавацый і добрасумленнасці", у будучыні гэта будзе ўсё лепш і лепш. 5 зорак Эла з Уругвая - 2017.10.25 15:53
    Нягледзячы на ​​тое, што мы невялікая кампанія, нас таксама паважаюць.Надзейная якасць, шчырае абслугоўванне і добры крэдыт, мы маем гонар працаваць з вамі! 5 зорак Дана з Ёханэсбурга - 2017.02.18 15:54

    Адпраўце нам паведамленне:

    Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам

    Катэгорыі тавараў

    Адпраўце нам паведамленне: