• чбб

Вядучы вытворца кандэнсатараў пастаяннага току па спецыяльнай канструкцыі - дэмпферныя кандэнсатары Axial GTO - CRE

Кароткае апісанне:


Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Звязанае відэа

Водгук (2)

Наш экіпаж праз кваліфікаваную падрыхтоўку.Кваліфікаваныя кваліфікаваныя веды, моцнае пачуццё кампаніі, каб задаволіць патрэбы кліентаў кампанііЭлектронны кандэнсатар харчавання фільтра пераменнага току, Кандэнсатар для зараднай і разраднай прылады , Кандэнсатары Dc-Link для прамежкавага ланцуга пастаяннага току ветраэнергетычных установак, Якасць - гэта фабрычнае жыццё, Арыентацыя на попыт кліента - крыніца выжывання і развіцця кампаніі, Мы прытрымліваемся прынцыпаў сумленнасці і добрасумленнасці ў працы, з нецярпеннем чакаем вашага прыходу!
Вядучы вытворца індывідуальных кандэнсатараў кандэнсатара пастаяннага току - дэмпферныя кандэнсатары Axial GTO - падрабязная інфармацыя CRE:

Тэхнічныя дадзеныя

Дыяпазон працоўных тэмператур Макс. Працоўная тэмпература. Верхняя, макс.: + 85 ℃ Тэмпература вышэйшай катэгорыі: + 85 ℃ Тэмпература ніжняй катэгорыі: -40 ℃
дыяпазон ёмістасці 0,1 мкФ ~ 5,6 мкФ
Намінальнае напружанне

630 В пастаяннага току ~ 2000 В пастаяннага току

Кап.тол

±5%(J);±10%(K)

Вытрымліваюць напружанне

1,5 Un пастаяннага току/10 с

Каэфіцыент рассейвання

tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz

Супраціў ізаляцыі

C≤0,33 мкФ RS≥15000 МОм (пры 20 ℃ 100 В пастаяннага току 60 с)

C>0,33μF RS*C≥5000S (пры 20℃ 100V.DC 60S)

Вытрымліваюць ударны ток
Працягласць жыцця

100000 гадзін (Un; Θгарачая кропка≤85°C)

Эталонны стандарт

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Ужыванне

1. Амартызатар IGBT.

2. Шырока выкарыстоўваецца ў сілавым электронным абсталяванні, калі пік напружання, пікавы ток абароны ад паглынання.

Контурны малюнак

 

1

 

 

 

 

Восевы кандэнсатар SMJ-TE
Напруга Un630V.DC;Urms400Vac;US 945V
Ёмістасць (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR пры 100 кГц (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,22 32 9.5 17.5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0,47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36.5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40.5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46.5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

Напруга Un 1000V.DC;Urms 500Vac;US 1500V
Ёмістасць (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR пры 100 кГц (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,15 32 10 17.5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0,68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35.5 1.2 5 29 900 1350 год 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40.5 1.2 4.8 30 800 1600 год 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42.5 1.2 4.2 32 600 1320 год 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40.5 1.2 3.5 34 480 1440 год 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 год 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 год 17.2
4.7 57 35 50.5 1.2 3 36 420 1974 год 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

Напруга Un 1200V.DC;Urms 550Vac;US 1800V
Ёмістасць (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR пры 100 кГц (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,1 32 8.5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 год 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 год 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 год 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 год 14.5
2.2 57 27.5 35.5 1.2 4.2 35 700 1540 год 14.5
3 57 29 44.5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 год 17.8
4.7 57 38 53.5 1.2 3 38 420 1974 год 18.2

 

Напруга Un 1700V.DC;Urms 600Vac;US 2550V
Ёмістасць (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR пры 100 кГц (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,1 32 9.5 17.5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0,33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40.5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 год 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 год 14.5
3 57 31 46.5 1.2 4 30 560 1680 год 17.2
3.3 57 33 48.5 1.2 3.2 29 500 1650 год 17.6
4 57 37 52.5 1.2 3 28 450 1800 год 18.2

 

Напруга Un 2000V.DC;Urms 700Vac;US 3000V
Ёмістасць (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR пры 100 кГц (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0,1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 год 145 8
0,22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412,5 9.5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36.5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 год 14.5
2 57 33 48.5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50.5 1.2 4 30 700 1540 год 17.8

 

Напруга Un 3000V.DC;Urms 750Vac;US 4500V
Ёмістасць (мкФ) L (мм±1) Т (мм±1) H (мм±1) φd (мм) ESR пры 100 кГц (мОм) ESL(nH) dv/dt (В/мкс) ІПК(А) Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 год 94 8.5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 год 122.4 10.5
0,1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 год 202.5 13.8
0,22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

Падрабязныя фатаграфіі прадукту:

Вядучы вытворца індывідуальных кандэнсатараў кандэнсатара пастаяннага току - дэмпферныя кандэнсатары Axial GTO - дэталёвыя выявы CRE

Вядучы вытворца індывідуальных кандэнсатараў кандэнсатара пастаяннага току - дэмпферныя кандэнсатары Axial GTO - дэталёвыя выявы CRE

Вядучы вытворца індывідуальных кандэнсатараў кандэнсатара пастаяннага току - дэмпферныя кандэнсатары Axial GTO - дэталёвыя выявы CRE


Кіраўніцтва па адпаведных прадуктах:

З добрай крэдытнай гісторыяй бізнесу, выдатным пасляпродажным абслугоўваннем і сучаснымі вытворчымі магутнасцямі, мы заслужылі выдатную папулярнасць сярод нашых пакупнікоў па ўсёй планеце за вядучага вытворцу індывідуальных канструкцыйных кандэнсатараў пастаяннага току - дэмпферных кандэнсатараў Axial GTO - CRE. пастаўкі ва ўсе краіны свету, такія як: Чэхія, Ліван, Перу. Дзякуючы шматгадоваму вопыту работы мы ўсвядомілі важнасць забеспячэння добрай якасці прадукцыі і лепшага перадпродажнага і пасляпродажнага абслугоўвання.Большасць праблем паміж пастаўшчыкамі і кліентамі ўзнікае з-за дрэннай сувязі.У культурным плане пастаўшчыкі могуць неахвотна ставіць пад сумнеў тое, што яны не разумеюць.Мы руйнуем гэтыя бар'еры, каб гарантаваць, што вы атрымаеце тое, што хочаце, на тым узроўні, на які вы чакаеце, і калі хочаце.больш хуткі час дастаўкі і прадукт, які вы хочаце наш крытэрый.
  • Тавар толькі што атрымаў, мы вельмі задаволеныя, вельмі добры пастаўшчык, спадзяемся прыкласці настойлівыя намаганні, каб зрабіць лепш. 5 зорак Мюрыэль з Кувейта - 2017.05.02 18:28
    Мы заўсёды лічым, што дэталі вызначаюць якасць прадукцыі кампаніі, у гэтым плане кампанія адпавядае нашым патрабаванням, а тавары адпавядаюць нашым чаканням. 5 зорак Аўтар Хедзі з Емена - 2017.12.09 14:01

    Адпраўце нам паведамленне:

    Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам

    Адпраўце нам паведамленне: