Восевыя дэмпферныя кандэнсатары GTO

Кароткае апісанне:

Гэтыя кандэнсатары падыходзяць для таго, каб вытрымліваць моцныя імпульсы току, якія звычайна сустракаюцца ў абароне GTO.Восевыя злучэння дазваляюць паменшыць паслядоўную індуктыўнасць і забяспечваюць трывалы механічны мантаж, надзейны электрычны кантакт і добры цеплавы адвод цяпла, якое выдзяляецца падчас працы.

Дашліце нам ліст Спампаваць як PDF

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Тэхнічныя дадзеныя

Дыяпазон працоўных тэмператур	-40℃ да +85℃
дыяпазон ёмістасці	0,1 мкФ ~ 5,6 мкФ
Намінальнае напружанне	630 В пастаяннага току ~ 2000 В пастаяннага току
Кап.тол	±5%(J);±10%(K)
Вытрымліваюць напружанне	1,5 Un пастаяннага току/10 с
Каэфіцыент рассейвання	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Супраціў ізаляцыі	C≤0,33 мкФ RS≥15000 МОм (пры 20 ℃ 100 В пастаяннага току 60 с) C＞0,33μF RS*C≥5000S (пры 20℃ 100V.DC 60S)
Вытрымліваюць ударны ток	гл
Працягласць жыцця	100000 гадзін (Un; Θгарачая кропка≤85°C)
Эталонны стандарт	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Ужыванне

1. Амартызатар IGBT, дэмпфер GTO

2. Шырока выкарыстоўваецца ў сілавым электронным абсталяванні, калі пік напружання, пікавы ток абароны ад паглынання.

Контурны малюнак

Восевы кандэнсатар SMJ-TE
Напруга		Un630V.DC;Urms400Vac;US 945V
Ёмістасць (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR пры 100 кГц (мОм)	ESL(nH)	dv/dt (В/мкс)	ІПК(А)	Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,22	32	9.5	17.5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0,47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
Напруга		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;US 1500V
Ёмістасць (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR пры 100 кГц (мОм)	ESL(nH)	dv/dt (В/мкс)	ІПК(А)	Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,15	32	10	17.5	0,8	20	20	1100	165	5.5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0,47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0,68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350 год	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600 год	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320 год	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440 год	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485 год	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575 год	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974 год	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Напруга		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;US 1800V
Ёмістасць (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR пры 100 кГц (мОм)	ESL(nH)	dv/dt (В/мкс)	ІПК(А)	Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,1	32	8.5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0,68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425 год	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350 год	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600 год	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 год	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540 год	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485 год	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 год	18.2
Напруга		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;US 2550V
Ёмістасць (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR пры 100 кГц (мОм)	ESL(nH)	dv/dt (В/мкс)	ІПК(А)	Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,1	32	9.5	17.5	0,8	18	25	1300	130	7.5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0,33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540 год	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320 год	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680 год	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650 год	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 год	18.2
Напруга		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;US 3000V
Ёмістасць (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR пры 100 кГц (мОм)	ESL(nH)	dv/dt (В/мкс)	ІПК(А)	Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6.9
0,1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450 год	145	8
0,22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412,5	9.5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275 год	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540 год	17.8
Напруга		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;US 4500V
Ёмістасць (мкФ)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR пры 100 кГц (мОм)	ESL(nH)	dv/dt (В/мкс)	ІПК(А)	Інфармацыя пры 25 ℃ пры 100 кГц (A)
0,047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 год	94	8.5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800 год	122.4	10.5
0,1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350 год	202.5	13.8
0,22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5